표면 처리 동박, 동장 적층판 및 프린트 배선판

동박(2)과, 동박(2)의 한쪽 면에 형성된 제1 표면 처리층(3)을 갖는 표면 처리 동박(1)이다. 이 표면 처리 동박(1)의 제1 표면 처리층(3)은, CIE L*a*b* 표색계의 L*가 44.0 내지 84.0이다. 또한, 동장 적층판(10)은, 표면 처리 동박(1)과, 표면 처리 동박(1)의 제1 표면 처리층(3)과 반대측 면에 접착된 절연 기재(11)를 구비한다. A surface treated copper foil 1 includes a copper foil 2, and a first surface treatment lay...

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Main Authors MIYAMOTO NOBUAKI, MIKI ATSUSHI
Format Patent
LanguageKorean
Published 08.01.2021
Subjects
APPARATUS THEREFOR
CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS
CHEMISTRY
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
ELECTROFORMING
ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES
LAYERED PRODUCTS
LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT ORNON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
METALLURGY
PERFORMING OPERATIONS
PRINTED CIRCUITS
PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTIONOF COATINGS
TRANSPORTING
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Summary:동박(2)과, 동박(2)의 한쪽 면에 형성된 제1 표면 처리층(3)을 갖는 표면 처리 동박(1)이다. 이 표면 처리 동박(1)의 제1 표면 처리층(3)은, CIE L*a*b* 표색계의 L*가 44.0 내지 84.0이다. 또한, 동장 적층판(10)은, 표면 처리 동박(1)과, 표면 처리 동박(1)의 제1 표면 처리층(3)과 반대측 면에 접착된 절연 기재(11)를 구비한다. A surface treated copper foil 1 includes a copper foil 2, and a first surface treatment layer 3 formed on one surface of the copper foil 2. The first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1 has a Ni concentration of 0.1 to 15.0 atm% based on the total amount of elements of C, N, O, Zn, Cr, Ni, Co, Si, and Cu, in an XPS depth profile obtained by performing sputtering at a sputtering rate of 2.5 nm/min (in terms of SiO2) for 1 minute. A copper clad laminate 10 includes the surface treated copper foil 1 and an insulating substrate 11 adhered to the first surface treatment layer 3 of the surface treated copper foil 1.
Bibliography:Application Number: KR20207033189