PZT 재질의 결정 층을 제조하는 방법 및 PZT 재질의 결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판

• Main Author: GHYSELEN BRUNO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.12.2020
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

PZT 재질의 결정 층을 제조하는 방법 및 PZT 재질의 결정 층의 에피택셜 성장을 위한 기판. SrTiO3 재질의 단결정 시드 층을 실리콘 재질의 캐리어 기판으로 전사하는 것에 이어서 PZTs 재질의 결정 층의 에피택셜 성장이 뒤따르는 것을 포함하는 PZT 재질의 상기 결정 층을 생산하는 방법. A process for producing a crystalline layer of PZT material, comprising the transfer of a monocrystalline seed layer of SrTiO3 material to a carrier substrate of silicon material, followed by epitaxial growth of the crystalline layer of PZT material.