CMP CMP SLURRY COMPOSITION WITH REDUCED DEFECT OCCURRENCE AND PREPARATION METHOD THEREOF

구현예에 따르면, 조성물 내의 전체 금속 이온 함량과 함께 다가 금속 이온의 함량을 조절하고, 산화규소막과 구리막에 대한 연마율의 비율을 일정 범위로 제어함으로써, 목표로 하는 연마 성능을 확보하면서 결함의 발생을 감소시킬 수 있는 슬러리 조성물을 제공할 수 있다. 따라서, 상기 슬러리 조성물은 CMP를 포함하는 반도체 소자의 제조 공정에 적용되어 반도체 기판을 비롯한 제품의 품질을 향상시킬 수 있다....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors MYUNG KANGSIK, KIM BYOUNGSOO, JIN GYU AN, HAN DEOK SU, HONG SEUNG CHUL, KIM HWAN CHUL, KWON JANG KUK
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 02.12.2020
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH
SEMICONDUCTOR DEVICES
SKI WAXES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:구현예에 따르면, 조성물 내의 전체 금속 이온 함량과 함께 다가 금속 이온의 함량을 조절하고, 산화규소막과 구리막에 대한 연마율의 비율을 일정 범위로 제어함으로써, 목표로 하는 연마 성능을 확보하면서 결함의 발생을 감소시킬 수 있는 슬러리 조성물을 제공할 수 있다. 따라서, 상기 슬러리 조성물은 CMP를 포함하는 반도체 소자의 제조 공정에 적용되어 반도체 기판을 비롯한 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20190060597