반도체용 접착제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법

본 발명은, 반도체 칩 및 배선 회로 기판의 각각의 접속부의 전극끼리가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치, 또는 복수의 반도체 칩의 각각의 접속부의 전극끼리가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치에 있어서, 접속부의 적어도 일부의 밀봉에 이용되는 반도체용 접착제로서, 반도체용 접착제의 틱소트로피 값이 1.0 이상, 3.1 이하이고, 틱소트로피 값은, 반도체용 접착제를 두께 400 ㎛까지 적층한 샘플에 대해, 전단 점도 측정 장치로 온도 120℃의 일정 조건에서 주파수를 1 ㎐로부터 70 ㎐까지 연속적으로 변화시켰을 때의 점도를 측정...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors UENO KEIKO, TANIGUCHI TETSUYA, CHABANA KOICHI, SATOU MAKOTO
Format Patent
LanguageKorean
Published 05.11.2020
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:본 발명은, 반도체 칩 및 배선 회로 기판의 각각의 접속부의 전극끼리가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치, 또는 복수의 반도체 칩의 각각의 접속부의 전극끼리가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치에 있어서, 접속부의 적어도 일부의 밀봉에 이용되는 반도체용 접착제로서, 반도체용 접착제의 틱소트로피 값이 1.0 이상, 3.1 이하이고, 틱소트로피 값은, 반도체용 접착제를 두께 400 ㎛까지 적층한 샘플에 대해, 전단 점도 측정 장치로 온도 120℃의 일정 조건에서 주파수를 1 ㎐로부터 70 ㎐까지 연속적으로 변화시켰을 때의 점도를 측정하여, 7 ㎐ 때의 점도 값을 70 ㎐ 때의 점도 값으로 나눈 값인 반도체용 접착제를 제공한다. An adhesive for a semiconductor, said adhesive being to be used for at least partly sealing connection parts of a semiconductor device wherein electrodes in respective connection parts of a semiconductor chip and a wiring circuit board are electrically connected to each other or a semiconductor device wherein electrodes in respective connection parts of a plurality of semiconductor chips are electrically connected to each other. This adhesive for a semiconductor has a thixotropy value of 1.0-3.1 inclusive, wherein the thixotropy value means a value calculated by measuring the viscosity of a sample, said sample being prepared by laminating the adhesive for a semiconductor to a depth of 400 μm, with a shear viscometer under constant conditions at a temperature of 120°C while continuously changing frequency from 1 Hz to 70 Hz, and then dividing the viscosity at 7 Hz by the viscosity at 70 Hz.
Bibliography:Application Number: KR20207027159