마스크 검사 방법 및 장치

• Main Authors: BUTTGEREIT UTE, MILDE THOMAS, TRAUTZSCH THOMAS, BLUMRICH JOERG FREDERIK, LAENGLE MARIO, THALER THOMAS, SEITZ HOLGER, SIMAKOV DMITRY
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 29.10.2020
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MATERIALS THEREFOR; MEASURING; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; TESTING

전자기 방사선의 마스크에서의 회절 후의 강도의 측정을 기초로 한 마스크 검사 방법은: 적어도 하나의 회절 차수의 회절의 결과로 동공 평면의 마스크 상에 존재하는 마스크 구조(11, 21)의 조명 시에 생성되는 제 1 강도 분포(14, 24)를 측정하는 단계 - 상기 회절 차수는 +1차 회절 차수, -1차 회절 차수 또는 더 높은 차수의 회절 차수임 - ; 상기 회절 차수의 회절의 결과로 동공 평면의 기준 구조(10, 20)의 조명 시에 생성된 제 2 강도 분포(13, 23)를 측정하는 단계; 및 제 1 강도 분포(14, 24)와 제 1 강도 분포(13, 23) 사이의 차이를 기초로, 마스크 구조(11, 21)의 측방향 오프셋 또는 로컬 피치 베리에이션(local pitch variation)이 존재하는 마스크 상의 적어도 하나의 영역을 식별하는 단계를 포함한다. The invention relates to a method and a device for inspecting a mask, wherein the method comprises the following steps: measuring a first intensity distribution (14, 24) generated upon illumination of a mask structure (11, 21) present on the mask in a pupil plane as a result of diffraction in at least one order of diffraction, wherein said order of diffraction is the +1st order of diffraction, the -1st order of diffraction or a higher order of diffraction, measuring a second intensity distribution (13, 23) generated upon illumination of a reference structure (10, 20) in the pupil plane as a result of diffraction in said order of diffraction; and identifying at least one region on the mask for which a lateral offset or a local pitch variation of the mask structure is present, on the basis of a difference between the first intensity distribution and the second intensity distribution.