접합 기판, 탄성 표면파 소자, 탄성 표면파 소자 디바이스 및 접합 기판의 제조 방법

• Main Authors: MIZUNO JUN, KAKIO SHOJI, KAYANO RINZO, KISHIDA KAZUHITO, KURIMOTO KOUHEI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 23.10.2020
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; RESONATORS; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

접합 기판이 결정 X축과 교차하는 각도로 컷된 수정 기판과, 상기 수정 기판 상에 적층된 압전 기판을 갖고, 적합하게는 수정 기판의 컷 각도가 결정 X축에 대해서 85∼95도의 범위의 각도를 갖고, 적합하게는 수정 기판의 탄성 표면파 전파 방향이 결정 Y축에 대해서 15∼50도의 각도를 갖고 있고, 압전 기판으로서 적합하게는 니오브산 리튬 또는 탄탈산 리튬이 사용되고, 적합하게는 압전 기판이 탄성 표면파의 파장(λ)에 대해서 두께(h)가 0.02∼0.11λ의 관계를 갖는다. A bonded substrate includes: a quartz substrate cut at an intersection angle with a crystal X-axis; and a piezoelectric substrate laminated on the quartz substrate. Preferably, a cut angle of the quartz substrate has an angle in the range of 85 to 95 degrees with respect to the crystal X-axis. Preferably, the surface acoustic wave propagation direction of the quartz substrate has an angle of 15 to 50 degrees with respect to a crystal Y-axis. Preferably, as a piezoelectric substrate, lithium niobate or lithium tantalate is used. Preferably, the piezoelectric substrate has a thickness h having a relationship of 0.02 to 0.11λ with respect to a wavelength λ of a surface acoustic wave.