ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: TADOKORO MASAHIRO, GOHIRA TAKU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.10.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An objective of the present invention is to perform etching on a workpiece including two types of films of a silicon oxide film and a silicon nitride film at once by a condition common to both films. According to an example embodiment of the present invention, in an etching method, a workpiece is maintained at a temperature higher than or equal to -30°C and lower than or equal to 30°C. Also, if Ua is a value resulting from adding J(i) × N(i) / M(i) for all values which i can take where J(i) is the flow of a first fluorocarbon gas among one or more fluorocarbon gases used in etching, and M(i) and N(i) are the numbers of fluorine atoms and carbon atoms included in the element composition of the corresponding gas, and Ub is a value resulting from adding J(k) × H(k) for all values which k can take where J(k) is the flow of a k^th hydrogen-containing gas among one or more hydrogen-containing gases used in etching, and H(k) is the number of hydrogen atoms included in the element composition of the k^th hydrogen-containing gas, Ua / Ub satisfies 0.04 < Ua / Ub < 0.22. 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 두 종류의 막을 포함하는 피가공물에 대한 에칭을 양 막에 공통의 조건에 의해 한 번에 행할 수 있는 것이다. 하나의 예시적 실시 형태에 따른 에칭 방법에서는, 피가공물의 온도는 -30℃ 이상 30℃ 이하로 유지되고, 또한 에칭에 이용하는 1 또는 복수의 플루오르카본 가스 중 제 i 플루오르카본 가스의 유량을 J(i), 당해 가스의 원소 조성에 포함되는 불소 원자, 탄소 원자의 각각의 개수를 M(i), N(i)라 하여 J(i) × N(i) / M(i)를 i가 취할 수 있는 모든 값에 대하여 더한 값을 Ua로 하고, 에칭에 이용하는 1 또는 복수의 수소 함유 가스 중 제 k 수소 함유 가스의 유량을 J(k), 제 k 수소 함유 가스의 원소 조성에 포함되는 수소 원자의 개수를 H(k)라 하여 J(k) × H(k)를 k가 취할 수 있는 모든 값에 대하여 더한 값을 Ub라 한 경우에, Ua / Ub는 0.04 < Ua / Ub < 0.22를 충족한다.