디바이스 제작에서의 금속 하드마스크 형성 시스템들 및 방법들

• Main Authors: MIN XIAOQUAN, KULSHRESHTHA PRASHANT KUMAR, LEE KWANGDUK DOUGLAS, PRABHAKAR VINAY K
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 13.10.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

기판 제작 방법 및 기판 제작을 위한 시스템이 본원에서 개시된다. 방법은 기판의 배치 전에 챔버에서 제1 플라즈마-강화 표면 처리를 수행한 다음 후속하여 프로세스 챔버에서 시즌 재료를 증착하는 단계를 포함한다. 프로세스 챔버에서 복수의 시즌 재료들을 증착한 후에, 기판이 챔버에 배치된다. 기판은 시즌 재료와 접촉하도록 프로세스 챔버에 포지셔닝된다. 기판 처리가 수행된다. 기판 처리는, 기판 상에 금속-계 하드마스크 막을 형성하기 전에, 제2 플라즈마-강화 표면 처리를 수행하는 것, 기판 상에 배리어 층을 형성하는 것, 또는 저 주파수 RF 처리를 수행하는 것 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 금속-계 하드마스크 막은 하나 이상의 금속들을 포함한다. A method of and system for substrate fabrication is disclosed herein. The method includes performing a first plasma-enhanced surface treatment in a chamber prior to disposal of a substrate, then, subsequently, depositing a season material in the process chamber. After depositing the plurality of season materials in the process chamber, a substrate is disposed in the chamber. The substrate is positioned in the process chamber in contact with the season material. A substrate treatment is performed. The substrate treatment can include one or more of: performing a second plasma-enhanced surface treatment, forming a barrier layer on the substrate, or performing a low frequency RF treatment prior to forming a metal-based hardmask film on the substrate. The metal-based hardmask film includes one or more metals.