MAGNETIC MEMORY DEIVCE

Provided is a magnetic memory device. The magnetic memory device comprises: a memory cell array including magnetic memory cells; a voltage generator generating a gate voltage; a row decoder including a word line driver driven by the gate voltage generated from the voltage generator and connected to...

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Main Author ANTONYAN ARTUR
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 13.10.2020
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Summary:Provided is a magnetic memory device. The magnetic memory device comprises: a memory cell array including magnetic memory cells; a voltage generator generating a gate voltage; a row decoder including a word line driver driven by the gate voltage generated from the voltage generator and connected to the memory cell array through the word line; a column decoder connected to the memory cell array through a bit line and a source line; and a write driver delivering a write voltage to the bit line selected by the column decoder and driven by the gate voltage generated from the voltage generator. 자기 메모리 장치가 제공된다. 자기 메모리 장치는, 자기 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 게이트 전압을 발생시키는 전압 발생기, 전압 발생기로부터 생성된 게이트 전압으로 구동되는 워드 라인 드라이버를 포함하고, 워드 라인을 통해 메모리 셀 어레이와 연결된 행 디코더, 비트 라인 및 소스 라인을 통해 메모리 셀 어레이와 연결되는 열 디코더, 및 열 디코더에 의해 선택된 비트 라인에 쓰기 전압을 전달하고, 전압 발생기로부터 생성된 게이트 전압으로 구동되는 쓰기 드라이버를 포함한다.
Bibliography:Application Number: KR20190038142