SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

The present invention is able to reduce particles generated when a substrate is adsorbed by an electrostatic chuck, in processing the substrate, and to improve a throughput of the substrate processing. According to the present invention, the substrate processing method comprises: a loading step of l...

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Main Authors TSUJIMOTO HIROSHI, TAKAHASHI TORU, YONEDA SHIGERU, SHINDO NOBUAKI
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 07.10.2020
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Summary:The present invention is able to reduce particles generated when a substrate is adsorbed by an electrostatic chuck, in processing the substrate, and to improve a throughput of the substrate processing. According to the present invention, the substrate processing method comprises: a loading step of loading the substrate on the electrostatic chuck set to be at a predetermined temperature; a first adsorbing step of applying a first DC voltage to the electrostatic chuck so as to adsorb the substrate on the electrostatic chuck; a maintaining step of applying the first DC voltage to the electrostatic chuck and maintaining the adsorption of the substrate by the electrostatic chuck until the difference in temperature between the electrostatic chuck and the substrate becomes 30°C or lower; and a second adsorbing step of applying a second DC voltage which is higher than the first DC voltage to the electrostatic chuck so as to adsorb the substrate on the electrostatic chuck. 본 발명은, 기판 처리에 있어서 정전 척으로 기판을 흡착할 때의 파티클을 저감함과 함께, 당해 기판 처리의 스루풋을 향상시킨다. 기판을 처리하는 방법이며, 미리 정해진 온도로 설정된 정전 척 상에 상기 기판을 적재하는 적재 공정과, 제1 직류 전압을 상기 정전 척에 인가하여, 당해 정전 척 상에 상기 기판을 흡착하는 제1 흡착 공정과, 상기 제1 직류 전압을 상기 정전 척에 인가하면서, 상기 정전 척과 상기 기판의 온도 차가 30℃ 이하로 될 때까지, 상기 정전 척에 의한 상기 기판의 흡착을 유지하는 유지 공정과, 상기 제1 직류 전압보다 높은 제2 직류 전압을 상기 정전 척에 인가하여, 당해 정전 척 상에 상기 기판을 흡착하는 제2 흡착 공정을 갖는다.
Bibliography:Application Number: KR20200036040