HOLLOW TYPE NITRIDE-BASED CARBON NANOSTRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

본원은 실리카 입자를 도파민계 물질에 의해 코팅하는 단계, 및 상기 실리카 입자를 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것인, 중공형 질화물계 탄소 나노 구조체의 제조 방법 에 관한 것이다.

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Main Authors KIM HYUN BIN, JEONG SEONG GUK, JEONG DONG IN, CHOI HYUNG WOOK, YOON DAEHO, KANG BONGKYUN, KIM MIN SEOB
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 07.10.2020
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Summary:본원은 실리카 입자를 도파민계 물질에 의해 코팅하는 단계, 및 상기 실리카 입자를 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것인, 중공형 질화물계 탄소 나노 구조체의 제조 방법 에 관한 것이다.
Bibliography:Application Number: KR20190036791