HOLLOW TYPE NITRIDE-BASED CARBON NANOSTRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
본원은 실리카 입자를 도파민계 물질에 의해 코팅하는 단계, 및 상기 실리카 입자를 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것인, 중공형 질화물계 탄소 나노 구조체의 제조 방법 에 관한 것이다.
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
07.10.2020
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Summary: | 본원은 실리카 입자를 도파민계 물질에 의해 코팅하는 단계, 및 상기 실리카 입자를 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것인, 중공형 질화물계 탄소 나노 구조체의 제조 방법 에 관한 것이다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20190036791 |