고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기

• Main Author: MIZUTA KYOHEI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.10.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 기술은, 화소의 미세화에 대응할 수 있도록 한 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기에 관한 것이다. 고체 촬상 장치는, 제1의 반도체 기판의 배선층 형성면인 표면측과, 제2의 반도체 기판의 배선층 형성면의 반대측인 이면측이 접합하여 구성된다. 제1의 반도체 기판은, 입사광을 광전변환하는 포토 다이오드와, 포토 다이오드의 전하를 전송하는 전송 트랜지스터를 구비한다. 제2의 반도체 기판은, 전송 트랜지스터에 의해 전송된 전하 또는 전하에 응한 전압을 유지하는 전하 전압 유지부를 구비한다. 고체 촬상 장치는, 제2의 반도체 기판을 관통하고, 전송 트랜지스터로부터 전송된 전하 또는 전압을 전하 전압 유지부에 전송하는 관통 전극을 구비한다. 본 기술은, 예를 들면, 고체 촬상 장치 등에 적용할 수 있다. The present technology relates to a solid-state imaging device compatible with miniaturization of pixels, a method for manufacturing the solid-state imaging device, and an electronic apparatus.The solid-state imaging device is formed by joining a front surface side as the wiring layer formation surface of the first semiconductor substrate to a back surface side of the second semiconductor substrate on the opposite side from the wiring layer formation surface of the second semiconductor substrate. The first semiconductor substrate includes a photodiode that photoelectrically converts incident light, and a transfer transistor that transfers the electric charge of the photodiode. The second semiconductor substrate includes a charge/voltage retention portion that retains the electric charge transferred by the transfer transistor or the voltage corresponding to the electric charge. The solid-state imaging device includes a through electrode that penetrates the second semiconductor substrate, and transmits the electric charge transferred from the transfer transistor or the voltage to the charge/voltage retention portion. The present technology can be applied to solid-state imaging devices and the like, for example.