온도에 기초한 빈도로 메모리 시스템의 메모리 셀에 대한 동작 수행

메모리 컴포넌트와 관련된 온도가 결정된다. 메모리 컴포넌트와 관련된 메모리 셀에 대한 동작을 수행하는 빈도는 메모리 컴포넌트와 관련된 온도에 기초하여 결정된다. 동작은 메모리 셀을 메모리 셀에 저장된 데이터에 대해 증가된 에러율과 관련된 상태로부터 메모리 셀에 저장된 데이터에 대해 감소된 에러율과 관련된 다른 상태로 전환시키도록 메모리 셀에 대해 결정된 빈도로 수행된다. A temperature associated with the memory component is determined. A frequency to perform an...

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Main Authors MUCHHERLA KISHORE KUMAR, FEELEY PETER, NOWELL SHANE, PADILLA RENATO C, RATNAM SAMPATH K, KAYNAK MUSTAFA N, RAYAPROLU VAMSI PAVAN
Format Patent
LanguageKorean
Published 15.09.2020
Subjects
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:메모리 컴포넌트와 관련된 온도가 결정된다. 메모리 컴포넌트와 관련된 메모리 셀에 대한 동작을 수행하는 빈도는 메모리 컴포넌트와 관련된 온도에 기초하여 결정된다. 동작은 메모리 셀을 메모리 셀에 저장된 데이터에 대해 증가된 에러율과 관련된 상태로부터 메모리 셀에 저장된 데이터에 대해 감소된 에러율과 관련된 다른 상태로 전환시키도록 메모리 셀에 대해 결정된 빈도로 수행된다. A temperature associated with the memory component is determined. A frequency to perform an operation on a memory cell associated with the memory component is determined based on the temperature associated with the memory component. The operation is performed on the memory cell at the determined frequency to transition the memory cell from a state associated with an increased error rate for data stored at the memory cell to another state associated with a decreased error rate for the data stored at the memory cell.
Bibliography:Application Number: KR20207025605