method of pre-treating substrate and method of directly forming graphene using the same

기판 전처리 방법과 이를 이용한 그래핀 직접 형성방법에 관해 개시되어 있다. 일 실시예에 의한 기판 전처리 방법은 그래핀 직접 성장 기판의 전처리 방법에서, 적어도 탄소 소스와 수소를 포함하는 전처리 가스를 이용하여 상기 기판을 전처리 한다. 일 실시예에 의한 그래핀 직접 형성방법은 기판을 전처리 하는 과정과 상기 전처리된 기판 상에 그래핀을 직접 성장시키는 과정을 포함한다. 상기 기판을 전처리 하는 과정은 상기 일 실시예에 의한 기판 전처리 방법을 따른다....

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Main Authors LEE JEON IL, SHIN, KEUN WOOK, NAM, SEUNG GEOL, BYUN, KYUNG EUN, LIM HYUN SEOK, JUNG, A LUM, SHIN, HYEON JIN, LEE JANG HEE, CHO, YEON CHOO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 14.09.2020
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:기판 전처리 방법과 이를 이용한 그래핀 직접 형성방법에 관해 개시되어 있다. 일 실시예에 의한 기판 전처리 방법은 그래핀 직접 성장 기판의 전처리 방법에서, 적어도 탄소 소스와 수소를 포함하는 전처리 가스를 이용하여 상기 기판을 전처리 한다. 일 실시예에 의한 그래핀 직접 형성방법은 기판을 전처리 하는 과정과 상기 전처리된 기판 상에 그래핀을 직접 성장시키는 과정을 포함한다. 상기 기판을 전처리 하는 과정은 상기 일 실시예에 의한 기판 전처리 방법을 따른다.
Bibliography:Application Number: KR20200026762