실리콘 웨이퍼의 휨량의 예측 방법 및 실리콘 웨이퍼의 제조 방법

• Main Authors: TAKATA KOUSUKE, KO BONG GYUN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 08.09.2020
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

실리콘 웨이퍼에 대하여 열처리를 실시했을 때에 발생하는 휨량을 산소의 영향을 고려하여 예측할 수 있는 방법 및 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 제안한다. 실리콘 웨이퍼에 대하여 열처리를 실시했을 때에 발생하는 휨량을 예측하는 방법으로서, 상기 열처리 중의 실리콘 웨이퍼의 왜곡의 변화율과 가동 전위 밀도의 변화율로부터 가동 전위 밀도, 응력 및 왜곡의 시간 발전을 구하여, 이것을 휨량으로 하고, 구한 왜곡의 시간 발전에 기초하여 실리콘 웨이퍼의 소성 변형량을 구하고, 열처리의 개시시의 가동 전위 밀도 N는, A, L: 정수, ΔO: 열처리의 개시시에서의 실리콘 웨이퍼에 있어서의 산소 석출물에 사용된 산소의 농도, L: 열처리의 개시시에서의 상기 실리콘 웨이퍼에 있어서의 산소 석출물의 평균 사이즈로서, [수 1]로 주어지는 것을 특징으로 한다. Provided is a method capable of predicting the warpage caused when a silicon wafer is subjected to heat treatment taking into account the effect of oxygen and a method of producing a silicon wafer. The method includes: determining the mobile dislocation density, the stress, and the time evolution of the strain of the silicon wafer being subjected to heat treatment from the rate of change in the strain and the rate of change in the mobile dislocation density; and determining the magnitude of plastic deformation of the silicon wafer as a warpage. The mobile dislocation density Ni at the start of the heat treatment is given as:Ni=A×(ΔOi×L−Lo)2.5  (1),where A and L0: constants, ΔOi: the concentration of oxygen used by oxygen precipitates in the silicon wafer at the start of the heat treatment, L: the mean size of the oxygen precipitates at the start of the heat treatment.