촬상 소자 및 촬상 장치

• Main Author: NOUDO SHINICHIRO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 25.08.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

화소에서의 광전변환부를 투과한 입사광의 전하 유지부나 인접하는 화소 등에의 입사를 막아, 화질의 저하를 방지한다. 촬상 소자는, 화소와, 배선층과, 입사광 감쇠부를 구비한다. 화소는, 반도체 기판에 형성되어 입사광에 의거한 광전변환을 행하는 광전변환부와, 광전변환에 의해 생성된 전하에 응한 화상 신호를 생성하는 화소 회로를 구비한다. 배선층은, 반도체 기판에서의 입사광이 입사되는 면과는 다른 면에 배치되어 화상 신호 또는 화소 회로에 인가되는 신호의 어느 하나를 전달한다. 입사광 감쇠부는, 광전변환부를 투과한 입사광을 감쇠시킨다. The incidence of incident light transmitted through a photoelectric conversion unit onto a charge holding unit, a pixel in the adjacency, and the like can be blocked in a pixel. An image sensor includes a pixel, a wiring layer, and an incident light attenuation unit. The pixel includes a photoelectric conversion unit that is formed in a semiconductor substrate and performs photoelectric conversion based on incident light, and a pixel circuit that generates an image signal according to a charge generated by the photoelectric conversion. The wiring layer is arranged on a surface of the semiconductor substrate different from a surface onto which the incident light is incident, and transports either the image signal or a signal applied to the pixel circuit. The incident light attenuation unit attenuates the incident light transmitted through the photoelectric conversion unit.