LED IMPROVED LIGHT EXTRACTION USING FEATURE SIZE AND SHAPE CONTROL IN LED SURFACE ROUGHENING

• Main Authors: EPLER JOHN EDWARD, SINGH RAJWINDER
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.07.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

발광 디바이스(200)의 광 출사 표면의 구조적 특성들은 표면이 조면화될 경우 그 표면(225)의 광 추출 효율을 증가시키도록 제어된다. 조면화 공정에 대한 상이한 내구성을 갖는 재료 층들을 포함하는 발광 표면(225)은 동일한 조면화 공정에 노출된 실질적으로 균일한 발광 표면보다 더 높은 광 추출 효율을 나타낸다. GaN-형 발광 디바이스(200)에서, 광 출사 표면(225) 상의 또는 광 출사 표면(225) 근방의 AlGaN 재료의 박층(240)은 식각 후에, GaN 재료만을 포함하는 표면을 종래와 같이 식각함으로써 생성된 피처들에 비해 더 예리한 피처들을 생성한다. The structural characteristics of the light-exiting surface of a light emitting device (200) are controlled so as to increase the light extraction efficiency of that surface (225) when the surface is roughened. A light emitting surface (225) comprising layers of materials with different durability to the roughening process exhibits a higher light extraction efficiency than a substantially uniform light emitting surface exposed to the same roughening process. In a GaN-type light emitting device (200), a thin layer (240) of AlGaN material on or near the light-exiting surface (225) creates sharper features after etching compared to the features created by conventional etching of a surface comprising only GaN material.