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Summary:According to the present invention, provided are a sapphire substrate for forming a light emitting diode chip emitting light in multiple directions, a light emitting diode chip, and a light emitting device. The sapphire substrate comprises a growth surface and a second main surface provided to face each other. The thickness of the sapphire substrate is equal to or greater than 200 μm. In addition, the light emitting diode chip comprises the sapphire substrate and at least one light emitting diode structure. Also, the light emitting diode chip structure is installed in the growth surface, and forms a partial growth surface on which the light emitting diode structure is not installed and a first main surface for emitting light. At least some of light rays emitted by the light emitting diode structure are transmitted through the sapphire substrate to be emitted from the second main surface. In addition, the light emitting device comprises the light emitting diode chip for emitting light in multiple directions and a mounting table. The light emitting diode chip is installed in the mounting table. According to the present invention, the sapphire substrate for forming the light emitting diode chip emitting light in multiple directions is provided, thereby increasing light emitting efficiency, and improving light emitting patterns to reduce costs. 본 발명은 다 방향으로 발광하는 발광다이오드 칩 형성용 사파이어 기판, 발광다이오드 칩 및 발광장치를 제공하며, 이 사파이어 기판은 서로 대향하게 설치된 성장면과 제2 주표면을 포함한다. 사파이어 기판의 두께는 200㎛보다 크거나 같다. 발광다이오드 칩은 사파이어 기판 및 적어도 하나의 발광다이오드 구조를 포함한다. 발광다이오드 칩 구조는 성장면에 설치되고, 발광다이오드 구조가 설치되지 않는 일부 성장면과 발광 가능한 제1 주표면을 형성한다. 발광다이오드 구조가 방출하는 적어도 일부 광선은 사파이어 기판을 투과하여, 제2 주표면으로부터 방출된다. 발광장치는 적어도 하나의 다 방향으로 발광하는 발광다이오드 칩 및 탑재대를 포함한다. 발광다이오드 칩은 탑재대 상에 설치된다.
Bibliography:Application Number: KR20200091689