method for multi-level etch semiconductor sensing device AND METHOD for MANUFACTURING semiconductor sensing device

• Main Authors: LEE CHENG CHE, CHEN LIN CHIEN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.07.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure provides a method for multi-level etching. The method comprises the steps of: providing a substrate; forming a first reference feature over a control region of the substrate; forming an etchable layer over the first reference feature and a target region over the substrate; patterning a masking layer having a first opening protruding over the control region and a second opening protruding over the target region over the etchable layer; and removing a portion of the etchable layer through the first and second openings until the first reference feature is reached. A semiconductor sensing device manufactured by multi-step etching is also disclosed. 본 개시는 다단계 에칭을 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 기판을 제공하는 단계, 기판의 제어 영역 위에 제 1 기준 피쳐를 형성하는 단계, 제 1 기준 피쳐 위에 에칭 가능한 층 및 기판 위의 타겟 영역을 형성하는 단계, 에칭 가능한 층 위에 제어 영역 위로 돌출하는 제 1 개구 및 타겟 영역 위로 돌출하는 제 2 개구를 갖는 마스킹 층을 패터닝하는 단계, 및 제 1 기준 피쳐에 도달할 때까지 제 1 개구 및 제 2 개구를 통해 에칭 가능한 층의 일부분을 제거하는 단계를 포함한다. 다단계 에칭에 의해 제작된 반도체 감지 장치가 또한 개시된다.