METHOD OF FORMING A PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

• Main Authors: HONG CE RA, LEE MYEONG DONG, HAN SUNG HEE, CHOI MIN SU, AHN JUN HYEOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.07.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An objective of the present invention is to provide a method of forming a pattern having excellent property. The method of forming the pattern comprises: forming first and second mask films on a target film; patterning the second mask film to form a second mask pattern of a rhombus shape having a relatively long first diagonal line and a relatively short second diagonal line when viewed from above; performing a trimming process of etching portions corresponding to both ends of the first diagonal line more than the portions corresponding to both ends of the second diagonal line in the second mask pattern of the rhombus shape to form a second mask; performing an etching process of using the second mask as an etching mask to form a first mask on the first mask film; and performing an etching process of using the first mask as an etching mask to form a target pattern on the target film. 패턴 형성 방법은 타깃막 상에 제1 및 제2 마스크 막들을 형성하고, 상기 제2 마스크 막을 패터닝하여 상부에서 보았을 때, 상대적으로 긴 제1 대각선 및 상대적으로 짧은 제2 대각선을 갖는 마름모 형상의 제2 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마름모 형상의 제2 마스크 패턴에서 상기 제1 대각선의 양단에 대응하는 부분들을 상기 제2 대각선의 양단에 대응하는 부분들보다 더 많이 식각하는 트리밍 공정을 수행하여 제2 마스크를 형성하고, 상기 제1 마스크 막에 상기 제2 마스크를 식각 마스크로 사용하는 식각 공정을 수행하여 제1 마스크를 형성하고, 그리고 상기 타깃막에 상기 제1 마스크를 식각 마스크로 사용하는 식각 공정을 수행하여 타깃 패턴을 형성하는 것을 포함할 수 있다.