Semiconductor memory device

• Main Authors: PARK KIJONG, KIM YOUNSOO, LIM HANJIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor device. More specifically, the present invention relates to the semiconductor device including: an active pattern on a substrate, wherein the active pattern may include a first source/drain region and a second source/drain region; a bit line electrically connected to the first source/drain region; a first connection electrode electrically connected to the second source/drain region; and a capacitor on the first connection electrode. The capacitor may include a first electrode, a second electrode, and a dielectric pattern disposed between the first and second electrodes. A lower portion of the dielectric pattern may cover at least a part of the top surface of the first connection electrode, and the first electrode covers an upper sidewall of the first connection electrode. 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 기판 상의 활성 패턴, 상기 활성 패턴은 제1 소스/드레인 영역 및 제2 소스/드레인 영역을 포함하고; 상기 제1 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 비트 라인; 상기 제2 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 제1 연결 전극; 및 상기 제1 연결 전극 상의 캐패시터를 포함한다. 상기 캐패시터는, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 및 제2 전극들 사이에 개재된 유전 패턴을 포함하고, 상기 유전 패턴의 하부는 상기 제1 연결 전극의 상면의 적어도 일부를 덮고, 상기 제1 전극은 상기 제1 연결 전극의 상부 측벽을 덮는다.