PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT REDUCING LEAKAGE CURRNET

• Main Authors: SONG YUN HEUB, CHOI JUN TAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.05.2020
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Disclosed is a phase change memory element which reduces leakage current in an unselected memory cell. According to an embodiment, the phase change memory device comprises: a plurality of bit lines; a plurality of source lines arranged to intersect the bit lines; a plurality of memory cells each configured to include respective phase change layers and disposed at intersections of the bit lines and the source lines; and a control unit which applies a voltage that is opposite to a read voltage and is 1/4 of the read voltage value to each of the unselected bit lines excluding selected bit line among the bit lines and the unselected source lines excluding the selected source line among the source lines. 비선택된 메모리 셀에서의 리키지(Leakage) 전류를 감소시키는 상변화 메모리 소자가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 상변화 메모리 소자는, 복수의 비트라인들; 상기 복수의 비트라인들과 교차하도록 배치되는 복수의 소스라인들; 각각의 상변화층을 포함하도록 구성된 채 상기 복수의 비트라인들 및 상기 복수의 소스라인들의 교차점들에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들; 및 상기 복수의 비트라인들 중 선택된 비트라인을 제외한 비선택된 비트라인들 및 상기 복수의 소스라인들 중 선택된 소스라인을 제외한 비선택된 소스라인들 각각에 판독 전압과 반대 극성이며 상기 판독 전압 값의 1/4 값인 전압을 인가하는 제어부를 포함한다.