SI SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SUPERJUNCTION AND OXYGEN INSERTED SI-LAYERS

• Main Authors: MEISER ANDREAS, LEOMANT SYLVAIN, HAASE ROBERT, HUANG XIAOQIU, POELZL MARTIN, JOSHI RAVI KESHAV, MA LING, ROESCH MAXIMILIAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.05.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor device having a superjunction and oxygen inserted Si-layer. The semiconductor device comprises: a source area and a drain area of a first conductivity type; a second conductive type body area between the source area and the drain area; a gate configured to control currents passing through a channel of the body area; a drift area of the first conductivity type between the body area and the drain area; a superjunction structure formed by a plurality of areas of a second conductivity type spaced laterally from each other by intervening regions of the drift area; and a diffusion barrier structure disposed along sidewalls of the areas of the second conductivity type of the superjunction structure. This diffusion barrier structure comprises: an alternating layer composed of Si and oxygen-doped Si, and an Si capping layer on the alternating layer composed of Si and oxygen-doped Si. 반도체 장치는 제1 도전형의 소스 영역 및 드레인 영역과, 소스 영역과 드레인 영역 사이의 제2 도전형의 바디 영역과, 바디 영역의 채널을 통과하는 전류를 제어하도록 구성된 게이트와, 바디 영역과 드레인 영역 사이의 제1 도전형의 드리프트 구역과, 드리프트 구역의 개재 영역(intervening regions)에 의해 서로 측면으로 이격된 제2 도전형의 복수의 영역에 의해 형성된 초접합 구조와, 초접합 구조의 제2 도전형의 영역들의 측벽들을 따라 배치된 확산 장벽 구조를 포함한다. 이 확산 장벽 구조는 Si와 산소-도핑된 Si로 이루어진 교번 층과, Si와 산소-도핑된 Si로 이루어진 교번 층 상의 Si 캡핑 층을 포함한다.