SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

• Main Authors: KIM DONG CHAN, KIM DAE HYUN, KIM YEE JU, LEE JI SOO, HUH JUNG HWAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.05.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device capable of improving scattering characteristics and a forming method thereof. The semiconductor device comprises: a gate trench crossing an active area; and a gate structure in the gate trench. The gate structure comprises: a gate dielectric layer on an inner wall of the gate trench; a gate electrode disposed on the gate dielectric layer and partially filling the gate trench; a gate capping insulating layer on the gate electrode; and a gapfill insulating layer disposed in the gate trench and disposed on the gate capping insulating layer, wherein the gate capping insulating layer includes a material formed by oxidizing a part of the gate electrode, nitriding a part of the gate electrode, or oxidizing and nitriding a part of the gate electrode. 반도체 소자 및 그 형성방법을 제공한다. 이 반도체 소자는 활성 영역을 가로지르는 게이트 트렌치; 및 상기 게이트 트렌치 내의 게이트 구조물을 포함한다. 상기 게이트 구조물은 상기 게이트 트렌치의 내벽 상의 게이트 유전체 층; 상기 게이트 유전체 층 상에 배치되며 상기 게이트 트렌치를 부분적으로 채우는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상의 게이트 캐핑 절연 층; 및 상기 게이트 트렌치 내에 배치되며 상기 게이트 캐핑 절연 층 상에 배치되는 갭필 절연 층을 포함하고, 상기 게이트 캐핑 절연 층은 상기 게이트 전극의 일부를 산화, 상기 게이트 전극의 일부를 질화, 또는 상기 게이트 전극의 일부를 산화 및 질화시키어 형성된 물질을 포함한다.