SUBSTRATE PROCESSING METHOD SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM

• Main Authors: HYAKUTAKE HIRONOBU, INADA TAKAO, KAWANO HISASHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 19.05.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An objective of the present invention is to precisely etch a silicon nitride film even when the silicon nitride film and a silicon oxide film are a highly stacked substrate. According to one embodiment of the present invention, a substrate processing method comprises an etching process for etching a substrate, on which the silicon oxide film and the silicon nitride film are formed, with a phosphoric acid processing liquid. During from the time of initiation of the etching process to the elapse of the first time interval, a silicon concentration in the phosphoric acid processing liquid is set as a first silicon concentration for etching the silicon oxide film. [과제] 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막이 고적층된 기판이라도, 실리콘 질화막을 정밀도 좋게 에칭한다. [해결수단] 본 개시의 일양태에 따른 기판 처리 방법은, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 형성된 기판을, 인산 처리액에 의해 에칭하는 에칭 공정을 포함한다. 에칭 공정은, 개시 시점부터 제1 시간 간격이 경과하기까지의 동안, 인산 처리액 중의 실리콘 농도를 실리콘 산화막이 에칭되는 제1 실리콘 농도로 한다.