Substrate processing apparatus capable of controlling process temperature

A substrate processing device according to an embodiment of the present invention comprises: a process chamber having a reaction space; a substrate support unit which is provided at the process chamber and temporarily supports a substrate introduced from the outside or a substrate to be discharged t...

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Main Authors HAN TAE SUNG, KIM DONG WOO, SUN WOO HOON, YOON WON JUN, CHOI SEOK KYU
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 18.05.2020
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Summary:A substrate processing device according to an embodiment of the present invention comprises: a process chamber having a reaction space; a substrate support unit which is provided at the process chamber and temporarily supports a substrate introduced from the outside or a substrate to be discharged to the outside; a heater which is provided at the lower portion of the reaction space and heats the substrate arranged at the upper portion; a heater driving unit which is provided at the lower portion of the heater and elevates the heater to a substrate loading location and a process location by the operation of a motor; a susceptor which is mounted on the heater to cover the upper surface and part of the side surface of the heater, and includes a substrate mounting unit on the upper surface for mounting the substrate; at least one support member which is inserted into the heater such that a lower end may protrude after penetrating the heater in a thickness direction, and supports the lower surface of the susceptor by the elevating operation of a support member plate so as to allow the susceptor to be spaced apart from the heater; an elevating device which is arranged at the lower portion of the heater and lifts or lowers the support member; and a control unit which controls the interval between the heater and the susceptor to operate the heater driving unit or the elevating device so as to control the heating temperature of the substrate. Therefore, the process temperature can be easily controlled in a chamber. 본 발명의 실시 예에 의한 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 구비되며 외부로부터 반입된 기판 또는 외부로 반출될 기판을 일시적으로 지지하는 기판 지지부; 상기 반응 공간 내의 하부에 구비되며 상부에 배치되는 기판을 가열하는 히터; 상기 히터 하부에 구비되며 모터 구동에 따라 상기 히터를 기판 로딩 위치와 공정 위치로 승강시키기 위한 히터 구동부; 상기 히터의 상면 및 측면 일부를 커버하도록 상기 히터 상에 장착되며 상면에 상기 기판이 안착되는 기판 안착부를 포함하는 서셉터; 상기 히터를 두께 방향으로 관통하여 하단이 돌출되도록 상기 히터 내에 삽입되며 지지부재 플레이트의 승강 구동에 따라 상기 서셉터의 하면을 지지하여 상기 히터로부터 상기 서셉터를 이격시키는 적어도 하나 이상의 지지부재; 상기 히터의 하부에 배치되고 상기 지지부재를 상승 및 하강시키는 승강 장치; 및 상기 히터와 상기 서셉터 간의 간격을 조절하여 상기 기판의 가열 온도가 조절되도록 상기 히터 구동부 또는 상기 승강 장치를 구동시키는 제어부를 포함한다.
Bibliography:Application Number: KR20180136859