OTS CIRCUIT ELEMENT IMPROVING SNAP-BACK AND PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT COMPRISING THE SAME

• Main Authors: SONG YUN HEUB, CHOI JUN TAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.05.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

Disclosed are a circuit element that alleviates the snap back phenomenon of an ovonic threshold switch (OTS) and a phase change memory element including the same. According to an embodiment, the phase change memory element comprises: a bit line PMOS serving as a switch for the bit line; an OTS disposed under the bit line PMOS; a phase change layer disposed under the OTS; a source line NMOS disposed at the bottom of the phase change layer and serving as a switch for the source line; and a PMOS Diode disposed between the bit line PMOS and the OTS to serve as a variable resistor. OTS(Ovonic Threshold Switch)의 스냅 백 현상을 개선하는 회로 소자 및 이를 포함하는 상변화 메모리 소자가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 상변화 메모리 소자는, 비트라인에 대한 스위치 역할을 하는 비트라인 PMOS; 상기 비트라인 PMOS의 하단에 배치되는 OTS(Ovonic Threshold Switch); 상기 OTS의 하단에 배치되는 상변화층; 상기 상변화층의 하단에 배치되어 소스라인에 대한 스위치 역할을 하는 소스라인 NMOS; 및 상기 비트라인 PMOS 및 상기 OTS의 사이에 배치되어 가변 저항의 역할을 하는 PMOS Diode(Diode Connected PMOS)를 포함한다.