반도체 디바이스의 제조 과정에서 규소-게르마늄/규소 스택으로부터 규소 및 규소-게르마늄 합금을 동시 제거하기 위한 에칭 용액

마이크로전자 디바이스로부터 규소 및 규소-게르마늄을 동시적으로 제거하기 위해 적합한 에칭 용액이 기재되어 있으며, 이는 물; 산화제; 아민 화합물(또는 암모늄 화합물) 및 다작용성 유기산을 포함하는 버퍼 조성물; 수혼화성 용매; 및 불화물 이온 공급원을 포함한다. Described herein is an etching solution suitable for the simultaneous removal of silicon and silicon-germanium from a microelectronic device, which comp...

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Main Authors ADAMCZYK ANDREW J, LEE YI CHIA, LIU WEN DAR, KUO CHI HSIEN, GE JHIH KUEI
Format Patent
LanguageKorean
Published 13.05.2020
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:마이크로전자 디바이스로부터 규소 및 규소-게르마늄을 동시적으로 제거하기 위해 적합한 에칭 용액이 기재되어 있으며, 이는 물; 산화제; 아민 화합물(또는 암모늄 화합물) 및 다작용성 유기산을 포함하는 버퍼 조성물; 수혼화성 용매; 및 불화물 이온 공급원을 포함한다. Described herein is an etching solution suitable for the simultaneous removal of silicon and silicon-germanium from a microelectronic device, which comprises: water; an oxidizer; a buffer composition comprising an amine compound (or ammonium compound) and a polyfunctional organic acid; a water-miscible solvent; and a fluoride ion source.
Bibliography:Application Number: KR20207012738