스트리퍼 용액 및 스트리퍼 용액의 사용 방법

에칭 레지스트 애싱 공정을 대신할 수 있는 스트리핑 용액을 제공한다. 스트리핑 용액은 우수한 포토레지스트 제거율로 및 저속의 산화규소 에칭 속도 및 저속의 금속 에칭 속도로 반도체 집적 회로를 위한 반도체 디바이스 상에 회로를 제작하는 데, 및/또는 전극을 형성하는 데, 및/또는 패키징/범핑 적용에 유용하다. 마찬가지로, 그의 사용 방법을 제공한다. 바람직한 스트리핑제는 극성 비양성자성 용매, 물, 하이드록실아민, 부식 억제제, 4급 수산화암모늄 및 선택적인 계면활성제를 함유한다. 상기 방법에 따라 제조된 집적 회로 디바이스 및 전...

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Main Authors LEE YI CHIA, LIU WEN DAR, KUO CHI HSIEN, GE JHIH KUEI
Format Patent
LanguageKorean
Published 12.05.2020
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Summary:에칭 레지스트 애싱 공정을 대신할 수 있는 스트리핑 용액을 제공한다. 스트리핑 용액은 우수한 포토레지스트 제거율로 및 저속의 산화규소 에칭 속도 및 저속의 금속 에칭 속도로 반도체 집적 회로를 위한 반도체 디바이스 상에 회로를 제작하는 데, 및/또는 전극을 형성하는 데, 및/또는 패키징/범핑 적용에 유용하다. 마찬가지로, 그의 사용 방법을 제공한다. 바람직한 스트리핑제는 극성 비양성자성 용매, 물, 하이드록실아민, 부식 억제제, 4급 수산화암모늄 및 선택적인 계면활성제를 함유한다. 상기 방법에 따라 제조된 집적 회로 디바이스 및 전자 인터커넥트 구조체를 추가로 제공한다. Stripping solutions that may replace an etching resist ashing process are provided. The stripping solutions are useful for fabricating circuits and/or forming electrodes and/or packaging/bumping applications on semiconductor devices for semiconductor integrated circuits with good photoresist removal efficiency and with low silicon oxide etch rate and low metal etch rates. Methods for their use are similarly provided. The preferred stripping agents contain polar aprotic solvent, water, hydroxylamine, corrosion inhibitor, quaternary ammonium hydroxide and optional surfactant. Further provided are integrated circuit devices and electronic interconnect structures prepared according to these methods.
Bibliography:Application Number: KR20207012742