MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: CHOI EUN YEOUNG, JEE JUNG GEUN, KIM HYUNG JOON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.05.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a method for manufacturing a semiconductor device with improved reliability. The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming a hole passing through first mold layers and second mold layers alternately stacked along a vertical direction perpendicular to a lower structure on the lower structure; forming recess areas by partially etching the first mold layers along a side surface of the hole; forming third mold layers in the recess areas to form interlayer insulating layers including the first mold layers and the third mold layers; and sequentially forming the interlayer insulating layers, a first dielectric layer covering the second mold layers and information storage patterns in the hole. 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 이 반도체 소자의 제조 방법은 하부 구조물 상에, 상기 하부 구조물에 수직한 수직 방향을 따라 교대로 적층되는 제1 몰드층들 및 제2 몰드층들을 관통하는 홀을 형성하는 단계; 상기 홀의 측면을 따라 상기 제1 몰드층들을 부분적으로 식각하여 리세스 영역들을 형성하는 단계; 상기 리세스 영역들에 제3 몰드층들을 형성하여 상기 제1 몰드층들 및 상기 제3 몰드층들을 포함하는 층간 절연층들을 형성하는 단계; 및 상기 홀 내에 상기 층간 절연층들 및 상기 제2 몰드층들을 덮는 제1 유전체층 및 정보 저장 패턴들을 차례로 형성하는 단계를 포함한다.