코발트로 기판 피처들을 충전하기 위한 방법들 및 장치

• Main Authors: LEI JIANXIN, TAO RONG, LEE JOUNG JOO, HOU WENTING
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 04.05.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

코발트로 피처들을 충전하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판을 프로세싱하기 위한 방법은, CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 통해, 기판 상부에, 그리고 기판에 배치된 피처 내에 제1 코발트 층을 증착하는 단계; 및 제1 코발트 층의 일부를 피처 안으로 리플로우하도록, 코발트 타겟을 갖는 PVD(physical vapor deposition) 챔버에서 플라즈마 프로세스를 수행함으로써, 코발트 또는 코발트 함유 재료로 피처를 적어도 부분적으로 충전하는 단계를 포함한다. PVD 챔버는, PVD 챔버에 배치된 코발트 타겟으로부터 피처 내에 코발트 또는 코발트 함유 재료를 동시에 증착하도록 구성될 수 있다. Methods and apparatus for filling features with cobalt are provided herein. In some embodiments, a method for processing a substrate includes: depositing a first cobalt layer via a chemical vapor deposition (CVD) process atop a substrate and within a feature disposed in the substrate; and at least partially filling the feature with cobalt or cobalt containing material by performing a plasma process in a physical vapor deposition (PVD) chamber having a cobalt target to reflow a portion of the first cobalt layer into the feature. The PVD chamber may be configured to simultaneously deposit cobalt or cobalt containing material within the feature from a cobalt target disposed in the PVD chamber.