OXYGEN PRECIPITATION IN HEAVILY DOPED SILICON WAFERS SLICED FROM INGOTS GROWN BY THE CZOCHRALSKI METHOD

약 10 밀리옴-㎝ 미만의 웨이퍼 저항률을 갖는 단결정 실리콘 웨이퍼에 산소 침전을 제어하는 방법이 제공되어 상기 웨이퍼는 중심 축으로부터 원주 엣지까지 균일하게 높은 산소 침전 거동을 갖게 된다. 단결정 실리콘 웨이퍼는 탄소, 비소 및 안티모니 중에서 선택된 추가 도펀트를 포함한다. A method for controlling oxygen precipitation in a single crystal silicon wafer having a wafer resistivity of less than about 10 milliohm-cm...

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Main Authors FALSTER ROBERT J, VORONKOV VLADIMIR V
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 28.04.2020
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:약 10 밀리옴-㎝ 미만의 웨이퍼 저항률을 갖는 단결정 실리콘 웨이퍼에 산소 침전을 제어하는 방법이 제공되어 상기 웨이퍼는 중심 축으로부터 원주 엣지까지 균일하게 높은 산소 침전 거동을 갖게 된다. 단결정 실리콘 웨이퍼는 탄소, 비소 및 안티모니 중에서 선택된 추가 도펀트를 포함한다. A method for controlling oxygen precipitation in a single crystal silicon wafer having a wafer resistivity of less than about 10 milliohm-cm is provided so that the wafer has uniformly high oxygen precipitation behavior from the central axis to the circumferential edge. The single crystal silicon wafer comprises an additional dopant selected from among carbon, arsenic, and antimony.
Bibliography:Application Number: KR20207011376