고체 촬상 장치

• Main Authors: HIRAMITSU JUN, YONETA YASUHITO, MASE MITSUHITO, TAKAGI SHIN ICHIRO, MURAMATSU MASAHARU
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 27.04.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

광 감응 영역은 제1 불순물 영역과, 제1 불순물 영역에 비하여 불순물 농도가 높은 제2 불순물 영역을 포함하고 있다. 광 감응 영역은 제2 방향에서 전송부로부터 떨어져 위치하고 있는 일단과, 제2 방향에서 전송부 근처에 위치하고 있는 타단을 가지고 있다. 제2 불순물 영역의 평면시로의 형상은, 제2 방향을 따른 광 감응 영역의 중심선에 대해서 선대칭이다. 제2 불순물 영역의 제1 방향에서의 폭은, 일단으로부터 타단을 향하는 전송 방향에서 증가하고 있다. 광 감응 영역을 제2 방향으로 n분할한 각 구간에 있어서의 제2 불순물 영역의 폭의 증가율은, 전송 방향에서 점차 커지고 있다. n은 2 이상의 정수이다. The photosensitive region includes a first impurity region and a second impurity region having a higher impurity concentration than that of the first impurity region. The photosensitive region includes one end positioned away from the transfer section in the second direction and another end positioned closer to the transfer section in the second direction. A shape of the second impurity region in plan view is line-symmetric with respect to a center line of the photosensitive region along the second direction. A width of the second impurity region in the first direction increases in a transfer direction from the one end to the other end. An increase rate of the width of the second impurity region in each of sections, obtained by dividing the photosensitive region into n sections in the second direction, becomes gradually higher in the transfer direction. Here, n is an integer of two or more.