VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

• Main Authors: KIM JONGUK, CHOI DONGSUNG, KIM BYONGJU, KO YOUNG MIN, JUNG JAEHO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.04.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a variable resistance memory device and a manufacturing method thereof. A method of manufacturing a variable resistance memory device comprises: forming a memory cell including a variable resistance pattern on a substrate; performing a first process to deposit a first protective layer covering the memory cell; and performing a second process to deposit a second protective layer on the first protective layer. The first process and the second process may use the same source material and the same nitrogen reaction material, and a nitrogen content in the first protective layer may be less than a nitrogen content in the second protective layer. 기판 상에 가변 저항 패턴을 포함하는 메모리 셀을 형성하는 것, 제 1 공정을 수행하여 상기 기판 상에 상기 메모리 셀을 덮는 제 1 보호막을 증착하는 것, 및 제 2 공정을 수행하여 상기 제 1 보호막 상에 상기 메모리 셀을 덮는 제 2 보호막을 증착하는 것을 포함하는 가변 저항 메모리 소자의 제조 방법을 제공하되, 상기 제 1 공정 및 상기 제 2 공정은 동일한 소스 물질 및 질소 반응 물질을 이용하고, 상기 제 1 보호막 내의 질소 함량비는 상기 제 2 보호막 내의 질소 함량비보다 작을 수 있다.