METAL ETCHING STOP LAYER IN MAGNETIC TUNNEL JUNCTION MEMORY CELLS

• Main Authors: CHEN YU SHU, PENG TAI YEN, LIN HAN TING, WANG CHEN JUNG, HUANG CHIEN CHUNG, TING CHIH YUAN, SHIEH JYU HORNG, YANG SIN YI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.04.2020
• Subjects: ELECTRICITY

A method of forming integrated circuits comprises the steps of: forming magnetic tunnel junction (MTJ) stack layers; depositing a conductive etch stop layer over the MTJ stack layers; depositing a conductive hard mask over the conductive etch stop layer; and patterning the conductive hard mask to form etching masks. The patterning is stopped by the conductive etch stop layer. The method further includes a step of etching the conducive etch stop layer using the etching masks to define patterns, and a step of etching the MTJ stack layers to form the MTJ stacks. 집적 회로를 형성하는 방법은, 자기 터널 접합(MTJ; Magnetic Tunnel Junction) 스택 층을 형성하는 단계, MTJ 스택 층 위에 전도성 에칭 정지 층을 퇴적하는 단계, 전도성 에칭 정지 층 위에 전도성 하드 마스크를 퇴적하는 단계, 및 에칭 마스크를 형성하도록 전도성 하드 마스크를 패터닝하는 단계를 포함한다. 패터닝은 전도성 에칭 정지 층에 의해 정지된다. 방법은, 패턴을 정의하도록 에칭 마스크를 사용하여 전도성 에칭 정지 층을 에칭하는 단계, 및 MTJ 스택을 형성하도록 MTJ 스택 층을 에칭하는 단계를 더 포함한다.