LITHOGRAPHY PROCESS MONITORING METHOD

• Main Authors: HUANG SHIH CHUN, LIU RU GUN, LEE CHIH JIE, CHANG SHIH MING, HSIEH KEN HSIEN, YEN YUNG SUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.04.2020
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

The present invention relates to a method for performing a lithography process, which comprises a step of providing a test pattern. The test pattern comprises: a first set of lines arranged in a first pitch; and a second set of lines arranged in a first pitch, and further comprise at least one reference line between the first set of lines and the second set of lines. In addition, the test pattern is exposed using a radiation source which provides an asymmetric monopole illumination profile to form a test pattern structure on a substrate, the test pattern structure is measured, and the measured distance is correlated with the offset of lithography parameters. The lithography process is adjusted based on the offset of the lithography parameters. 리소그래피 공정을 수행하는 방법은 테스트 패턴을 제공하는 단계를 포함한다. 테스트 패턴은 제 1 피치로 배열된 제 1 세트의 라인, 제 1 피치로 배열된 제 2 세트의 라인을 포함하고, 제 1 세트의 라인과 제 2 세트의 라인 사이에 적어도 하나의 기준 라인을 더 포함한다. 테스트 패턴은 비대칭 모노폴 조명 프로파일을 제공하는 방사선 소스를 사용하여 노광되어 기판 상에 테스트 패턴 구조물을 형성한다. 그 다음, 테스트 패턴 구조물이 측정되고, 측정된 거리는 리소그래피 파라미터의 오프셋과 상관된다. 리소그래피 공정은 리소그래피 파라미터의 오프셋에 기초하여 조정된다.