통합 에피택시 시스템 고온 오염물 제거
본 개시내용의 구현들은 일반적으로, 개선된 진공 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 일 구현에서, 진공 프로세싱 시스템은, 적어도 하나의 기상 에피택시 프로세스 챔버에 커플링된 제1 이송 챔버; 제2 이송 챔버; 제1 이송 챔버와 제2 이송 챔버 사이에 배치된 트랜지션 스테이션; 기판의 표면으로부터 오염물들을 제거하기 위해 제1 또는 제2 이송 챔버에 커플링된 플라즈마-세정 챔버; 및 제2 이송 챔버에 커플링된 로드 락 챔버를 포함한다. Implementations of the present disclosure generally rel...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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01.04.2020
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Summary: | 본 개시내용의 구현들은 일반적으로, 개선된 진공 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 일 구현에서, 진공 프로세싱 시스템은, 적어도 하나의 기상 에피택시 프로세스 챔버에 커플링된 제1 이송 챔버; 제2 이송 챔버; 제1 이송 챔버와 제2 이송 챔버 사이에 배치된 트랜지션 스테이션; 기판의 표면으로부터 오염물들을 제거하기 위해 제1 또는 제2 이송 챔버에 커플링된 플라즈마-세정 챔버; 및 제2 이송 챔버에 커플링된 로드 락 챔버를 포함한다.
Implementations of the present disclosure generally relate to an improved vacuum processing system. In one implementation, the vacuum processing system includes a first transfer chamber coupling to at least one vapor phase epitaxy process chamber, a second transfer chamber, a transition station disposed between the first transfer chamber and the second transfer chamber, a plasma-cleaning chamber coupled to the first or second transfer chamber for removing contaminants from a surface of a substrate, and a load lock chamber coupled to the second transfer chamber. |
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Bibliography: | Application Number: KR20207008637 |