GAS ETCHING DEVICE

• Main Authors: CHENG YU CHUNG, HSIANG AN FENG, YA LI CHEN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.03.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A gas etching device includes an upper cover having a first gas discharge channel surrounding a first receiving space. A lower cover has a second receiving space in which a wafer is positioned. The lower cover can be connected to the upper cover. A gas spraying element is arranged in the first receiving space to communicate with the upper cover. The gas spraying element receives etching gas from the outside of the upper cover and sprays the etching gas to the first receiving space and the second receiving space so as to react with the wafer. The reacting etching gas is discharged through a first gas discharge channel. A first gas inflow channel continuously receives high pressure gas from the outside of the upper cover and transmits the high pressure gas to a second gas inflow channel. Therefore, the etching gas is prevented from leaking. 가스 에칭 장치는 제1 수용 공간을 둘러싸는 제1 가스 배출 채널을 구비한 상부 커버를 포함한다. 하부 커버는 웨이퍼가 위치되는 제2 수용 공간을 구비한다. 하부 커버는 상부 커버와 연결될 수 있다. 가스 분사 요소는 제1 수용 공간에 배치되어 상부 커버와 연통한다. 가스 분사 요소는 상부 커버의 외부로부터 에칭 가스를 수신하고 에칭 가스를 웨이퍼와 반응하도록 제1 수용 공간 및 제2 수용 공간에 분사한다. 반응된 에칭 가스는 제1 가스 배출 채널을 통해 배출된다. 제1 가스 유입 채널은 계속해서 상부 커버의 외부로부터 고압 가스를 수신하고 고압 가스를 제2 가스 유입 채널로 전달하여, 에칭 가스의 누출을 방지한다.