순환적 패시베이션 및 에칭을 사용한 고 종횡비 선택적 측방향 에칭

• Main Authors: EASON KWAME, KAWAGUCHI MARK NAOSHI, PARK PILYEON, PARK SEUNG HO, CHANG HSIAO WEI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 12.03.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

리세스된 피처의 측벽들로부터 원치 않는 재료를 측방향으로 에칭하기 위한 방법들 및 장치가 본 명세서에 기술된다. 다양한 실시예들에서, 방법은 측벽들의 부분을 에칭하는 단계, 측벽들의 부분 위에 보호 막을 증착하는 단계, 및 원치 않는 재료가 리세스된 피처의 전체 깊이로부터 제거될 때까지 에칭 동작 및 증착 동작을 순환적으로 수행하는 단계를 수반한다. 에칭 동작 및 증착 동작 각각은 피처의 측벽들을 따라 특정한 깊이로 타깃팅될 수도 있다. 일부 경우들에서, 원치 않는 재료는 피처의 하단부로부터 위로 제거되고, 다른 경우들에서, 원치 않는 재료는 피처의 상단부로부터 아래로 제거된다. 이들의 일부 조합이 또한 사용될 수도 있다. Methods and apparatus for laterally etching unwanted material from the sidewalls of a recessed feature are described herein. In various embodiments, the method involves etching a portion of the sidewalls, depositing a protective film over a portion of the sidewalls, and cycling the etching and deposition operations until the unwanted material is removed from the entire depth of the recessed feature. Each etching and deposition operation may target a particular depth along the sidewalls of the feature. In some cases, the unwanted material is removed from the bottom of the feature up, and in other cases the unwanted material is removed from the top of the feature down. Some combination of these may also be used.