SOI METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATORSOI SUBSTRATE

• Main Authors: LU JIECH FUN, WU CHENG TA, LIU KUAN LIANG, TU YEUR LUEN, CHENG YU HUNG, TSAI CHIA SHIUNG, CHOU SHIH PEI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.03.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Various embodiments of the present intention are to provide a method of forming a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate having a thick device layer and a thick insulator layer. In some embodiments, the method includes: a step of forming an insulator layer covering a handle substrate; and a step of performing epitaxy formation of a device layer on a sacrificing substrate. A sacrificing substrate is bonded on a handle substrate to locate a device layer and an insulator layer between sacrificing and handle substrates, and then the sacrificing substrate is removed. Removing includes a step of performing etching on a sacrificing substrate until reaching a device layer. Since a device layer is epitaxy formed and transferred on a handle substrate, a device layer can be formed with a great thickness. Also, since epitaxy is not affected by the thickness of an insulator layer, an insulator layer can be formed with a great thickness. 본 출원의 다양한 실시예들은, 두꺼운 디바이스층 및 두꺼운 절연체층을 갖는 절연체 상 반도체(SOI: Semiconductor-on-Insulator) 기판을 형성하는 방법을 목표로 한다. 일부 실시예들에서, 방법은, 핸들 기판을 덮는 절연체층을 형성하는 단계; 및 희생 기판 상에 디바이스층을 에피택시 형성하는 단계를 포함한다. 희생 기판은 핸들 기판에 본딩되어, 디바이스층 및 절연체층을 희생 및 핸들 기판들 사이에 위치시키고, 희생 기판이 제거된다. 제거는 디바이스층에 도달할 때까지 희생 기판에 에칭을 수행하는 단계를 포함한다. 디바이스층이 에피택시 형성되고 핸들 기판에 전사되기 때문에, 디바이스층은 큰 두께로 형성될 수 있다. 또한, 에피택시는 절연체층의 두께에 영향을 받지 않기 때문에, 절연체층은 큰 두께로 형성될 수 있다.