Semiconductor devices

• Main Authors: BAE DONG IL, NOH CHANG WOO, KIM HO JUN, KANG MYUNG GIL, BAE GEUM JONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.03.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to some embodiments of the present invention, a semiconductor apparatus comprises: a substrate extending in first and second directions intersecting each other; nanowires disposed on the substrate and spaced from each other along the second direction; gate electrodes extending in the first direction and spaced apart along the second direction and surrounding the nanowires to vertically overlap the nanowires; external spacers disposed on the substrate and covering sidewalls of the gate electrodes on the nanowires; and a device isolation layer disposed between the gate electrodes and extending in the first direction. A top surface of the device isolation layer may be at the same level as a top surface of the gate electrode. 일부 실시예들에 따른 반도체 장치는, 서로 교차하는 제1 및 제2 방향으로 연장되는 기판; 상기 기판 상에 배치되고 상기 제2 방향을 따라 서로 이격된 나노 와이어들; 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제2 방향을 따라 이격되어 배치되며, 상기 나노 와이어들과 수직으로 중첩되도록 상기 나노 와이어들을 둘러싸는 게이트 전극들; 상기 기판 상에 배치되고 상기 나노 와이어들 상에서 상기 게이트 전극의 측벽을 덮는 외부 스페이서들; 및 상기 게이트 전극들 사이에 배치되고 상기 제1 방향으로 연장되는 소자 분리막을 포함하되, 상기 소자 분리막의 상면은 상기 게이트 전극의 상면과 동일한 레벨에 있을 수 있다.