원자 층 에칭 프로세스에 의해 오염 층을 제거하는 방법

• Main Authors: EHM DIRK HEINRICH, ROOZEBOOM FRED, ILLIBERI ANDREA, BECKER MORITZ, CREIJGHTON YVES LODEWIJK MARIA, TE SLIGTE EDWIN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.02.2020
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

본 발명은 EUV 복사선을 반사하는 광학 요소(14)의 광학 표면(14a)으로부터 오염 층(24)을 적어도 부분적으로 제거하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은, 광학 표면(14a)으로부터 오염 층(24)을 부분적으로 제거하는 원자 층 에칭 프로세스를 수행하는 단계를 포함하고, 원자 층 에칭 프로세스를 수행하는 단계는, 표면 개질 단계에서 오염 층(24)을 표면-개질 반응물(44)에 노출시키는 단계, 및 물질 분리 단계에서 오염 층(24)을 물질-분리 반응물(45)에 노출시키는 단계를 포함한다. 광학 요소(14)는, 원자 층 에칭 프로세스가 수행되기 전에, 광학 장치로부터, 특히 광학 요소(14)의 광학 표면(14a)이 EUV 복사선(6)에 노출되고 그 동안에 오염 층(24)이 형성되는 EUV 리소그래피 시스템으로부터 취출된다. A method for at least partially removing a contamination layer (24) from an optical surface (14a) of an optical element (14) that reflects EUV radiation includes: performing an atomic layer etching process for at least partially removing the contamination layer (24) from the optical surface (14a), which, in turn, includes: exposing the contamination layer (24) to a surface-modifying reactant (44) in a surface modification step, and exposing the contamination layer (24) to a material-detaching reactant (45) in a material detachment step. The optical element (14) is typically taken, before the atomic layer etching process is performed, from an optical arrangement, in particular from an EUV lithography system, in which the optical surface (14a) of the optical element (14) is exposed to EUV radiation (6), during which the contamination layer (24) is formed.