PLASMA PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: HIRATA AKIRA, MORI MASAHITO, YAMAMOTO KOICHI, ARASE TAKAO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.02.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a control method of a plasma processing device which does not require prior irradiation of a resonance point while maintaining low contamination and high uniformity even in multi-step etching. The control method of a plasma processing device, which is provided with a process of adjusting a high-frequency bias current flowing through a counter antenna electrode, comprises: a process (S2) of setting a reactance of a variable element to an initial value; a process (S4) of detecting a bias current flowing through the counter antenna electrode; processes (S5, S6) of finding the maximum value of the detected current; and processes (S7, S8) of moving the reactance value of the variable element from the maximum value to a set value, and then fixing the same. 다단계 에칭에 있어서도 저오염, 고균일을 유지한 채, 사전의 공진점 조사를 불필요하게 하는 플라즈마 처리 장치의 제어 방법을 제공한다. 대향 안테나 전극으로 흐르는 고주파 바이어스 전류를 조정하는 공정을 구비한 플라즈마 처리 장치의 제어 방법에 있어서, 가변 소자의 리액턴스를 초기값으로 설정하는 공정(S2)과, 대향 안테나 전극으로 흐르는 바이어스 전류를 검지하는 공정(S4)과, 검지한 전류의 극대값을 찾는 공정(S5, S6)과, 극대값으로부터 설정된 값으로 가변 소자의 리액턴스 값을 이동한 후, 고정하는 공정(S7, S8)을 포함한다.