Si OXYGEN INSERTED SI-LAYERS IN VERTICAL TRENCH POWER DEVICES

• Main Authors: LEOMANT SYLVAIN, HAASE ROBERT, POELZL MARTIN, GOLLER BERNHARD, JOSHI RAVI KESHAV, ROESCH MAXIMILIAN, FEIL THOMAS
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.02.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor apparatus comprises: a gate trench extending into an Si substrate; a body area in the Si substrate adjacent to the gate trench; a source area above the body area in the Si substrate; a contact trench extending into the Si substrate and filled with an electrically conductive material being in contact with the source area in a sidewall of the contact trench and a highly doped body contact area in a bottom part of the contact trench; a diffusion barrier structure formed along a sidewall of the gate trench, and including alternating layers of Si and oxygen doped Si, and an Si capping layer on the alternating layers of Si and oxygen doped Si; and a channel area formed in the Si capping layer and extending vertically along the sidewall of the gate trench. A manufacturing method corresponding thereto is also described. 반도체 장치는 Si 기판 내로 연장되는 게이트 트렌치와, 게이트 트렌치에 인접한 Si 기판 내의 바디 영역과, Si 기판 내에서 바디 영역 위에 있는 소스 영역과, Si 기판 내로 연장되고 접촉 트렌치의 측벽에서 소스 영역 및 접촉 트렌치의 바닥부에서 고도로 도핑된 바디 접촉 영역과 접촉하는 전기 전도성 재료로 채워지는 접촉 트렌치와, 게이트 트렌치의 측벽을 따라 형성되고, Si 및 산소 도핑된 Si의 교번층들과, Si 및 산소 도핑된 Si의 교번층들 상의 Si 캐핑층을 포함하는 확산 장벽 구조, 및 Si 캐핑층 내에 형성되고 게이트 트렌치의 측벽을 따라서 수직으로 연장되는 채널 영역을 포함한다. 이에 상응하는 제조 방법도 기술되어 있다.