반도체 장치

적어도 일부가 도전형의 도펀트들로 도핑된 실리콘 기판 층(210); 및 상기 실리콘 기판 층(210) 상에 형성된 적어도 하나의 절연 층(220)을 포함하고, 상기 적어도 하나의 절연 층(220)과 상기 실리콘 기판 층(210)의 상기 도펀트들은 반대 전하들을 가지는 반도체 장치(200, 300). A semiconductor apparatus having a silicon substrate layer at least portion of which is doped with dopants of a conductivity type; a...

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Main Authors RANTAKARI PEKKA, VILJANEN HEIKKI, VAHA HEIKKILA TAUNO, TUOVINEN ESA
Format Patent
LanguageKorean
Published 11.02.2020
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:적어도 일부가 도전형의 도펀트들로 도핑된 실리콘 기판 층(210); 및 상기 실리콘 기판 층(210) 상에 형성된 적어도 하나의 절연 층(220)을 포함하고, 상기 적어도 하나의 절연 층(220)과 상기 실리콘 기판 층(210)의 상기 도펀트들은 반대 전하들을 가지는 반도체 장치(200, 300). A semiconductor apparatus having a silicon substrate layer at least portion of which is doped with dopants of a conductivity type; and at least one insulator layer formed above the silicon substrate layer, wherein the at least one insulator layer and the dopants of the silicon substrate layer have opposite electric charges.
Bibliography:Application Number: KR20197038311