OPTICAL CAVITY INCLUDING A LIGHT EMITTING DEVICE AND WAVELENGTH CONVERTING MATERIAL

본 발명의 실시예들은 기판에 부착되는 반도체 발광 다이오드를 포함한다. 파장 변환 재료의 제1 영역은 기판 상에 부착된다. 파장 변환 재료는 반도체 발광 다이오드에 의해 방출되는 광을 흡수하고 상이한 파장으로 광을 방출하도록 구성된다. 제1 영역에서, 파장 변환 재료는 기판의 전체 표면을 코팅한다. 기판은 광 공동의 하부면 부근에 배치된다. 파장 변환 재료의 제2 영역은 광 공동의 상부면의 부근에 배치된다. Light emitting devices are described herein. A light-emitting device i...

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Main Authors CHOI HAN HO, BUTTERWORTH MARK MELVIN, VAMPOLA KENNETH
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 10.02.2020
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Summary:본 발명의 실시예들은 기판에 부착되는 반도체 발광 다이오드를 포함한다. 파장 변환 재료의 제1 영역은 기판 상에 부착된다. 파장 변환 재료는 반도체 발광 다이오드에 의해 방출되는 광을 흡수하고 상이한 파장으로 광을 방출하도록 구성된다. 제1 영역에서, 파장 변환 재료는 기판의 전체 표면을 코팅한다. 기판은 광 공동의 하부면 부근에 배치된다. 파장 변환 재료의 제2 영역은 광 공동의 상부면의 부근에 배치된다. Light emitting devices are described herein. A light-emitting device includes a substrate having a surface below an optical cavity, one or more light emitting diodes (LEDs) disposed above the surface of the substrate, a first wavelength-converting layer, and a second wavelength-converting layer. The first wavelength-converting layer is disposed on the surface of the substrate below the optical cavity, covers the entire surface of the substrate except for portions of the surface of the substrate that are situated underneath any of the one or more LEDs, and has a thickness that is equal to or less than a thickness of at least one of the one or more LEDs. The second wavelength-converting layer is disposed above the optical cavity.
Bibliography:Application Number: KR20207002264