ETCHING METHOD

• Main Authors: MATSUI HISASHI, KAMBE TAKAFUMI, YODA HISASHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.02.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to an etching method. The etching method comprises: a supply process; a first etching process; a stop process; and a second etching process. In the supply process, in order to form a semiconductor device, a reducing gas and a chlorine-containing gas are supplied into a chamber, which houses a substrate to be processed having a structure in which a wiring layer including AI on an oxide semiconductor is stacked. In the first etching process, the wiring layer is etched by plasma of a processing gas including a mixed gas composed of the reducing gas and the chlorine-containing gas supplied into the chamber. In the stop process, the supply of the reducing gas into the chamber is stopped when the wiring layer is etched to a predetermined thickness by the first etching process. In the second etching process, the wiring layer is further etched by the plasma of the processing gas including the chlorine-containing gas supplied into the chamber. Therefore, a deterioration of a characteristic of the oxide semiconductor by the gas used for etching the wiring layer can be suppressed. 에칭 방법은, 공급 공정과, 제1 에칭 공정과, 정지 공정과, 제2 에칭 공정을 포함한다. 공급 공정에서는, 반도체 소자를 형성하기 위해서, 산화물 반도체 상에 Al을 포함하는 배선층이 적층된 구조를 갖는 피처리 기판이 수용된 챔버 내에, 환원성 가스 및 염소 함유 가스가 공급된다. 제1 에칭 공정에서는, 챔버 내에 공급된 환원성 가스 및 염소 함유 가스로 이루어지는 혼합 가스를 포함하는 처리 가스의 플라스마에 의해, 배선층이 에칭된다. 정지 공정에서는, 제1 에칭 공정에 의해 배선층이 소정의 두께까지 에칭된 경우에, 챔버 내로의 환원성 가스의 공급이 정지된다. 제2 에칭 공정에서는, 챔버 내에 공급된 염소 함유 가스를 포함하는 처리 가스의 플라스마에 의해, 배선층이 더 에칭된다.