BOOST BYPASS CIRCUITRY IN A MEMORY STORAGE DEVICE

• Main Authors: CHEN YEN HUEI, FUJIWARA HIDEHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.01.2020
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Disclosed are a plurality of exemplary memory storage devices which can be programmed to bypass one or more memory cells in an operation of a bypass mode. The various exemplary memory storage devices can adjust, for example, electronic data via pull-up or pull-down as the electronic data passes through these exemplary memory storage devices in the operation of a bypass mode. In some situations, the various exemplary memory storage devices may introduce an unwanted bias into the electronic data as the electronic data passes through these exemplary memory storage devices in the operation of a bypass mode. The various exemplary memory storage devices can pull-down the electronic data and/or pull-up the electronic data as the electronic data passes through these exemplary memory storage devices in the operation of a bypass mode to compensate for the unwanted bias. 본원은, 바이패스 모드의 동작에서 하나 이상의 메모리 셀을 바이패스하도록 프로그래밍될 수 있는 다수의 예시적 메모리 스토리지 디바이스를 개시한다. 다양한 예시적인 메모리 스토리지 디바이스는, 예를 들어 전자 데이터가 바이패스 모드의 동작에서 이러한 예시적인 메모리 스토리지 디바이스를 통과함에 따라, 전자 데이터를 풀 업(pull-up) 또는 풀 다운(pull-down)으로 조정할 수 있다. 몇몇 상황에서, 다양한 예시적인 메모리 스토리지 디바이스는 전자 데이터가 바이패스 모드의 동작에서 이들 예시적인 메모리 스토리지 디바이스를 통과함에 따라 원치 않는 바이어스를 전자 데이터에 도입할 수 있다. 다양한 예시적인 메모리 스토리지 디바이스는 이러한 원하지 않는 바이어스를 보상하기 위해 바이패스 동작 모드에서 전자 데이터가 이러한 예시적인 메모리 스토리지 디바이스를 통과할 때 전자 데이터를 풀 다운 및/또는 풀 업할 수 있다.