RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN

• Main Authors: KOHNO SHINICHI, SHIROKI TAKEAKI, SUNAMICHI TOMONARI, OHNO YOSHIAKI, SAITO AYA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.01.2020
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Provided are a resist composition, which can form a thick film resist film having a film thickness of 5 μm or more, and can form a pattern of a good shape while maintaining high sensitivity, and to a method for forming a resist pattern using the same. The resist composition which generates acid by exposure and changes solubility for a developing solution by an action of acid, comprises: (A) a base component having changeable solubility for a developing solution by an action of acid; and a tertiary monoamine compound (D0) represented by general formula (d0). The concentration of the base component (A) is 20 mass% or more, and content of the compound (Do) is 0.01 to 0.05 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base component (A). In the general formula (d0), Rx^1 to Rx^3 each independently represent a hydrocarbon group which may have a substituent, and two or more of Rx^1 to Rx^3 may bind to each other to form a ring structure. [과제] 막두께 5 ㎛ 이상의 후막 레지스트막을 형성할 수 있고, 또한, 높은 감도를 유지하면서, 양호한 형상의 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 조성물, 및 그 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법의 제공. [해결 수단] 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 와, 하기 일반식 (d0) 으로 나타내는 제3급 모노아민 화합물 (D0) 을 함유하고, 상기 기재 성분 (A) 의 농도가, 20 질량％ 이상이고, 상기 화합물 (D0) 의 함유량이, 상기 기재 성분 (A) 100 질량부에 대해, 0.01 ∼ 0.05 질량부인, 레지스트 조성물. Rx∼ Rx은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 탄화수소기를 나타낸다. Rx∼ Rx은, 2 개 이상이 서로 결합하여 고리 구조를 형성하고 있어도 된다. [화학식 1]