보론 카바이드 하드마스크의 건식 스트리핑

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 기판 상에 증착된 보론 카바이드 층을 건식 스트리핑하기 위한 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 방법은, 보론 카바이드 층을 갖는 기판을 압력 용기 내로 로딩하는 단계, 기판을 대략 500 Torr 내지 60 bar의 압력으로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 노출시키는 단계, 압력 용기를 프로세싱 가스의 응축점보다 더 높은 온도까지 가열하는 단계 및 프로세싱 가스와 보론 카바이드 층 간의 하나 이상의 반응 생성물들을 압력 용기로부터 제거하는 단계를 포함한다. Embodiments o...

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Main Authors LESCHKIES KURTIS, JIANG SHISHI, MANNA PRAMIT, MALLICK ABHIJIT BASU
Format Patent
LanguageKorean
Published 13.01.2020
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 기판 상에 증착된 보론 카바이드 층을 건식 스트리핑하기 위한 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 방법은, 보론 카바이드 층을 갖는 기판을 압력 용기 내로 로딩하는 단계, 기판을 대략 500 Torr 내지 60 bar의 압력으로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 노출시키는 단계, 압력 용기를 프로세싱 가스의 응축점보다 더 높은 온도까지 가열하는 단계 및 프로세싱 가스와 보론 카바이드 층 간의 하나 이상의 반응 생성물들을 압력 용기로부터 제거하는 단계를 포함한다. Embodiments of the disclosure generally relate to a method for dry stripping a boron carbide layer deposited on a semiconductor substrate. In one embodiment, the method includes loading the substrate with the boron carbide layer into a pressure vessel, exposing the substrate to a processing gas comprising an oxidizer at a pressure between about 500 Torr and 60 bar, heating the pressure vessel to a temperature greater than a condensation point of the processing gas and removing one or more products of a reaction between the processing gas and the boron carbide layer from the pressure vessel.
Bibliography:Application Number: KR20197036359